MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 4.3 mΩ Miglioramento, 120 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN3R9-100YSFX

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Codice RS:
219-277
Codice costruttore:
PSMN3R9-100YSFX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

294W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è qualificato per 175 °C. È ideale sia per applicazioni industriali che di consumo. È adatto per la rettifica sincrona nei convertitori c.a.-c.c. e c.c.-c.c., la commutazione laterale primaria nei sistemi c.c.-c.c. a 48 V, il controllo dei motori BLDC, gli adattatori USB-PD e mobili a carica rapida, nonché le topologie flyback e risonanti.

Forte valore energetico valanghe

Valanga e testato al 100%

Ha-free e conforme a RoHS

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