MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 2 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN2R0-30YLDX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-287
Codice costruttore:
PSMN2R0-30YLDX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

142W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21.8nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è dotato di un portafoglio NextPowerS3 che utilizza l'esclusiva tecnologia SchottkyPlus di NXP per fornire un'elevata efficienza, prestazioni a bassa spinta solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simile a Schottky integrato ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto per applicazioni ad alta efficienza a frequenze di commutazione elevate.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

Qualificato fino a 175 °C

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