MOSFET Nexperia, canale Tipo N 25 V, 0.7 mΩ Miglioramento, 300 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMNR60-25YLHX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-299P
Codice costruttore:
PSMNR60-25YLHX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Dissipazione di potenza massima Pd

268W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

4.5 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è ottimizzato per bassi RDSon, basse perdite IDSS anche ad alte temperature, elevata efficienza e elevata gestione della corrente. È ideale per l'interruttore di carico c.c. e le applicazioni di swap a caldo. Gli impieghi principali includono la sostituzione a caldo, l'e-fusibile, l'alimentazione OR-ing, la commutazione c.c./carico, la protezione della batteria e il controllo del motore spazzolato/BLDC.

Clip in rame per bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore LFPAK ad elevata affidabilità

Qualificato fino a 175 °C

Possibilità di saldatura a onda