MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1 mΩ Miglioramento, 300 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R0-30YLDX

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MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 258 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie
Codice RS
189-0262

Unità (Su Bobina da 3000)

1,233 €

(IVA esclusa)

1,504 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
219-315
Codice costruttore:
PSMN1R0-30YLDX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

238W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57.3nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Il MOSFET a canale N Nexperia è dotato di un portafoglio NextPowerS3 che utilizza l'esclusiva tecnologia SchottkyPlus di NXP per fornire un'elevata efficienza, prestazioni a bassa spinta solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simile a Schottky integrato ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto per applicazioni ad alta efficienza a frequenze di commutazione elevate.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Possibilità di saldatura a onda

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

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