MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 12 mΩ N, 50 A, 8 Pin, MLPAK, Superficie PXN012-100QSJ
- Codice RS:
- 219-391
- Codice costruttore:
- PXN012-100QSJ
- Costruttore:
- Nexperia
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 1 unità*
0,44 €
(IVA esclusa)
0,54 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 3000 unità in spedizione dal 26 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,44 € |
| 10 - 99 | 0,40 € |
| 100 - 499 | 0,37 € |
| 500 - 999 | 0,35 € |
| 1000 + | 0,31 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-391
- Codice costruttore:
- PXN012-100QSJ
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | MLPAK | |
| Serie | PXN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 58W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package MLPAK | ||
Serie PXN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 58W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Altezza 0.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET a canale N Nexperia viene fornito in un contenitore MLPAK33. È progettato per una varietà di applicazioni standard. Gli impieghi principali includono la rettifica sincrona laterale secondaria, i convertitori c.c.-c.c., gli elettrodomestici, gli azionamenti dei motori, la commutazione del carico e l'illuminazione a LED.
Compatibilità a livello standard
Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore termicamente efficiente in un piccolo fattore di forma
Link consigliati
- MOSFET Nexperia 12 mΩ N 8 Pin Superficie PXN012-100QSJ
- MOSFET Nexperia 40 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie PXN040-100QSJ
- MOSFET Nexperia 13.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie PXN012-60QLJ
- MOSFET Nexperia 28 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie PXN028-100QLJ
- MOSFET Nexperia 13.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Nexperia 38 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 34 mΩ7 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 40 mΩ2 A Montaggio superficiale
