MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 180 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN3R3-100SSFJ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-467
Codice costruttore:
PSMN3R3-100SSFJ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

159nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Ha-free, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Nexperia a canale N è qualificato per il funzionamento fino a 175°C ed è ideale per applicazioni industriali e consumer. Le applicazioni principali includono il raddrizzamento sincrono nei convertitori CA-CC e CC-CC, la commutazione del lato primario, il controllo dei motori BLDC, i circuiti full-bridge e half-bridge e la protezione delle batterie.

Forte classificazione energetica per le valanghe

Valanghe e testato al 100%

Esente da Ha e conforme a RoHS

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