MOSFET onsemi, canale N, 46 A, H-PSOF8L, Montaggio superficiale

Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) di ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in stato attivo e le dimensioni compatte del chip assicurano una bassa capacità e una carica dela porta. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
Conformità RoHS