MOSFET onsemi, canale N 650 V, 60 mΩ Miglioramento, 46 A, 8 Pin, HPSOF-8L, Superficie NTBL060N065SC1
- Codice RS:
- 220-562P
- Codice costruttore:
- NTBL060N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 220-562P
- Codice costruttore:
- NTBL060N065SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 46A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | HPSOF-8L | |
| Serie | NTBL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22.6V | |
| Tensione diretta Vf | 4.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.38mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 46A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package HPSOF-8L | ||
Serie NTBL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22.6V | ||
Tensione diretta Vf 4.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 74nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.38mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
- Paese di origine:
- PH
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) di ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in stato attivo e le dimensioni compatte del chip assicurano una bassa capacità e una carica dela porta. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
Conformità RoHS