MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 201 A, 8 Pin, SO-8FL, Superficie NVMFWS1D9N08XT1G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 nastro da 2 unità*

7,33 €

(IVA esclusa)

8,942 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1458 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Nastro*
2 - 183,665 €7,33 €
20 - 1983,31 €6,62 €
200 - 9983,055 €6,11 €
1000 - 19982,825 €5,65 €
2000 +2,305 €4,61 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-571
Codice costruttore:
NVMFWS1D9N08XT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8FL

Serie

NVMFWS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

164W

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

AEC and PPAP Capable

Altezza

1mm

Larghezza

5.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di ON Semiconductor ha un basso QRR. Questo dispositivo è privo di Pb e di alogeni/BFR.

Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Conformità RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.