MOSFET onsemi, canale N 80 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 201 A, 8 Pin, SO-8FL, Superficie NVMFWS1D9N08XT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-571
Codice costruttore:
NVMFWS1D9N08XT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVMFWS

Tipo di package

SO-8FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

820mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

164W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

AEC and PPAP Capable

Larghezza

5.9mm

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di ON Semiconductor ha un basso QRR. Questo dispositivo è privo di Pb e di alogeni/BFR.

Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Conformità RoHS

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