MOSFET onsemi, canale N 80 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 201 A, 8 Pin, SO-8FL, Superficie NVMFWS1D9N08XT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-571P
Codice costruttore:
NVMFWS1D9N08XT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVMFWS

Tipo di package

SO-8FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

164W

Tensione diretta Vf

0.82V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.9mm

Standard/Approvazioni

AEC and PPAP Capable

Lunghezza

4.9mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di ON Semiconductor ha un basso QRR. Questo dispositivo è privo di Pb e di alogeni/BFR.

Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Conformità RoHS

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