MOSFET onsemi, canale N 40 V, 2.35 mΩ Miglioramento, 121 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS2D3N04XMT1G
- Codice RS:
- 220-573P
- Codice costruttore:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 220-573P
- Codice costruttore:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 121A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 63W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Standard automobilistico | AEC-Q | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 121A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 63W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Standard automobilistico AEC-Q | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di ON Semiconductor ha una bassa capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo dispositivo è privo di Pb e di alogeni/BFR.
Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
Conformità RoHS