MOSFET onsemi, canale N 80 V, 2.55 mΩ Miglioramento, 156 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie
- Codice RS:
- 220-574P
- Codice costruttore:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 3,168 € |
| 100 - 495 | 2,934 € |
| 500 - 995 | 2,702 € |
| 1000 + | 2,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-574P
- Codice costruttore:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 156A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Tipo di package | DFNW-5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.55mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 133W | |
| Tensione diretta Vf | 820mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 156A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NVMFWS | ||
Tipo di package DFNW-5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.55mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 133W | ||
Tensione diretta Vf 820mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di potenza di ON Semiconductor in un contenitore a piombo piatto da 5x6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti, con elevate prestazioni termiche. Opzione fianco bagnabile disponibile per una migliore ispezione ottica. MOSFET con qualifica AEC-Q101 e PPAP adatto alle applicazioni automobilistiche.
Senza alogeni
Conformità RoHS