MOSFET onsemi, canale N 1200 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 191 A, 36 Pin, PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- Codice RS:
- 220-575P
- Codice costruttore:
- NXH006P120M3F2PTHG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 220-575P
- Codice costruttore:
- NXH006P120M3F2PTHG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 191A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | NXH | |
| Tipo di package | PIM36 | |
| Numero pin | 36 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 556W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 622nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione diretta Vf | 7.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 16.5mm | |
| Lunghezza | 51mm | |
| Larghezza | 62.8mm | |
| Standard/Approvazioni | Halide Free, RoHS, Pb-Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 191A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie NXH | ||
Tipo di package PIM36 | ||
Numero pin 36 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 556W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 622nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione diretta Vf 7.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 16.5mm | ||
Lunghezza 51mm | ||
Larghezza 62.8mm | ||
Standard/Approvazioni Halide Free, RoHS, Pb-Free | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di ON Semiconductor è un modulo di potenza contenente un half-bridge di MOSFET SiC da 6 m ohm / 1200 V e un termistore con HPS DBC in un pacchetto F2.
Senza alogeni
Conformità RoHS