MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 164 A, 8 Pin, SO-8FL, Superficie
- Codice RS:
- 220-586P
- Codice costruttore:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
94,20 €
(IVA esclusa)
114,90 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1500 unità in spedizione dal 14 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,884 € |
| 100 - 495 | 1,74 € |
| 500 - 995 | 1,60 € |
| 1000 + | 1,54 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-586P
- Codice costruttore:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 164A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 183nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 164A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 183nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di ON Semiconductor con tecnologia di imballaggio avanzata in un formato di 5x6 mm per ridurre l'ingombro e garantire un'eccellente conduzione termica.
Conformità RoHS
Senza Pb e senza alogeni/BFR