MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ Miglioramento, 323 A, 8 Pin, SO-8FL, Superficie NTMFS0D7N04XMT1G
- Codice RS:
- 220-593
- Codice costruttore:
- NTMFS0D7N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 nastro da 5 unità*
5,76 €
(IVA esclusa)
7,025 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 1490 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,152 € | 5,76 € |
| 50 - 95 | 1,10 € | 5,50 € |
| 100 - 495 | 1,016 € | 5,08 € |
| 500 - 995 | 0,934 € | 4,67 € |
| 1000 + | 0,90 € | 4,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-593
- Codice costruttore:
- NTMFS0D7N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 323A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 134W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 323A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 134W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
- Paese di origine:
- MY
Link consigliati
- MOSFET onsemi 5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 10.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 6.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 1.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie NVMFWS1D9N08XT1G
- MOSFET onsemi 2.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie NTMFS005P03P8ZT1G
- MOSFET onsemi 1.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie NTMFS2D1N08XT1G
