MOSFET onsemi, canale N 40 V, 0.9 mΩ Miglioramento, 278 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS0D9N04XLT1G
- Codice RS:
- 220-595P
- Codice costruttore:
- NTMFS0D9N04XLT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 220-595P
- Codice costruttore:
- NTMFS0D9N04XLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 278A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 278A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Senza alogeni
Conformità RoHS