MOSFET onsemi, canale N 80 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 181 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS2D5N08XT1G
- Codice RS:
- 220-603P
- Codice costruttore:
- NTMFS2D5N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,774 € |
| 100 - 495 | 2,566 € |
| 500 - 995 | 2,354 € |
| 1000 + | 2,272 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-603P
- Codice costruttore:
- NTMFS2D5N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 181A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 148W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 181A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 148W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Senza alogeni
Conformità RoHS