2 MOSFET ROHM, canale N, 202 mΩ, 2 A 100 V, TSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin QH8KE5TCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-562
Codice costruttore:
QH8KE5TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TSMT-8

Serie

QH8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

202mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a doppio canale N da 100V 2,0A di ROHM in un contenitore TSMT8 è progettato per applicazioni di alimentazione switching ad alta efficienza e per l'azionamento di motori.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto di montaggio superficiale piccolo TSMT8

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni

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