2 MOSFET ROHM, canale N, 202 mΩ, 2 A 100 V, TSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin QH8KE5TCR
- Codice RS:
- 264-562P
- Codice costruttore:
- QH8KE5TCR
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 225 | 0,331 € |
| 250 - 475 | 0,306 € |
| 500 - 975 | 0,282 € |
| 1000 + | 0,272 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-562P
- Codice costruttore:
- QH8KE5TCR
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TSMT-8 | |
| Serie | QH8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 202mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TSMT-8 | ||
Serie QH8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 202mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a doppio canale N da 100V 2,0A di ROHM in un contenitore TSMT8 è progettato per applicazioni di alimentazione switching ad alta efficienza e per l'azionamento di motori.
Bassa resistenza in stato attivo
Pacchetto di montaggio superficiale piccolo TSMT8
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni