2 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 27 mΩ 60 V, HSOP-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HP8KC6TB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-757
Codice costruttore:
HP8KC6TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HP8

Tipo di package

HSOP-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

21W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione.

Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)

Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS

Senza alogeni

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