2 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 193 mΩ, 7 A 100 V, HSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HT8KE5TB1
- Codice RS:
- 264-874P
- Codice costruttore:
- HT8KE5TB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
49,60 €
(IVA esclusa)
60,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 100 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,496 € |
| 250 - 490 | 0,458 € |
| 500 - 990 | 0,422 € |
| 1000 + | 0,407 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-874P
- Codice costruttore:
- HT8KE5TB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HT8K | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 193mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 13W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HT8K | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 193mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 13W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM presenta una configurazione a doppio canale N con una tensione nominale di 100V e una capacità di corrente di 7A. Progettato in un package HSOP8, offre una bassa resistenza di accensione.
Bassa resistenza in stato attivo
Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)
Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS
Senza alogeni