1 MOSFET ROHM, canale N, 8.8 mΩ, 80 A 100 V, TO-263AB, Montaggio superficiale Miglioramento, 3 Pin RJ1P04BBHTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-883
Codice costruttore:
RJ1P04BBHTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263AB

Serie

RJ1

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38.0nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Numero elementi per chip

1

Il MOSFET di potenza ROHM Nch 100V 80A TO-263AB con bassa resistenza di accensione e alta potenza in un piccolo stampo, adatto alla commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto piccolo ad alta potenza (TO263AB)

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

100% testato UIS

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