MOSFET ROHM, canale Tipo P 80 V, 8.3 mΩ Depletion, 65 A, 8 Pin, HSMT-8, Superficie
- Codice RS:
- 265-155P
- Codice costruttore:
- RH6N040BHTB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
41,30 €
(IVA esclusa)
50,40 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 85 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 0,826 € |
| 100 - 495 | 0,766 € |
| 500 - 995 | 0,706 € |
| 1000 + | 0,68 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 265-155P
- Codice costruttore:
- RH6N040BHTB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | RH | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.3mΩ | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 59W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie RH | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.3mΩ | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 59W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di ROHM è un semiconduttore all'avanguardia progettato per offrire prestazioni e affidabilità eccezionali per diverse applicazioni. Questo componente è caratterizzato da un piccolo stampo ad alta potenza che ottimizza lo spazio senza compromettere la funzionalità. Grazie alla bassa resistenza di accensione, garantisce una gestione efficiente dell'alimentazione, rendendola perfetta per l'uso negli azionamenti dei motori e nei convertitori CC/CC.
Elevata capacità di potenza per applicazioni complesse
Testato per caratteristiche di carica di gate robuste che migliorano le prestazioni di commutazione
Ideale per varie applicazioni, compresi gli azionamenti dei motori
I valori nominali massimi completi garantiscono la sicurezza dei limiti operativi