MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 4.0 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-252, Superficie R6502END3TL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
265-280
Codice costruttore:
R6502END3TL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

R65

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.0Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET ROHM è un MOSFET a basso rumore e a supergiunzione, che pone l'accento sulla facilità d'uso. I prodotti di questa serie raggiungono prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore, come le apparecchiature audio e di illuminazione.

Piombatura senza Pb

Conformità RoHS

Commutazione rapida

I circuiti di azionamento possono essere semplici

L'uso in parallelo è facile

Bassa resistenza in stato attivo

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