MOSFET onsemi, canale N 40 V, 0.78 mΩ Miglioramento, 310 A, 8 Pin, DFN-8, Superficie NTMFSC0D8N04XMTWG
- Codice RS:
- 277-046P
- Codice costruttore:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,276 € |
| 100 - 495 | 1,184 € |
| 500 - 995 | 1,092 € |
| 1000 + | 1,048 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 277-046P
- Codice costruttore:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 310A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | NTM | |
| Tipo di package | DFN-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.78mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 135W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Larghezza | 6.15mm | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 310A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie NTM | ||
Tipo di package DFN-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.78mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 135W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Larghezza 6.15mm | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Carica di gate ultra bassa
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
Recupero inverso del diodo a corpo morbido
Estremamente bassa sulla resistenza per ridurre al minimo le perdite di conduzione
Il dispositivo è privo di Pb e conforme a RoHS