MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 38.5 mΩ Miglioramento, 42 A, 18 Pin, PIM18, Montaggio a innesto NXH030P120M3F1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-056P
Codice costruttore:
NXH030P120M3F1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PIM18

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

18

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione diretta Vf

6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo di alimentazione di ON Semiconductor contiene un half-bridge MOSFET SiC da 30 mΩ e 1200 V e un termistore, tutti alloggiati in un pacchetto F1. Questo modulo è progettato per la conversione di potenza ad alta efficienza ed è ideale per applicazioni quali inverter solari, gruppi di continuità (UPS), stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali.

Perni a pressione

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS