Modulo di alimentazione IGBT onsemi NXH800H120L7QDSG, VCE 1200 V, IC 800 A Mezzo ponte, canale Tipo N, Tipo P, PIM11, 11

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-059P
Codice costruttore:
NXH800H120L7QDSG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo di alimentazione IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

800A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Configurazione

Mezzo ponte

Tipo di package

PIM11

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Numero pin

11

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.05V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

62.15mm

Altezza

20.8mm

Lunghezza

152mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il modulo di alimentazione IGBT a mezzo ponte di ON Semiconductor è dotato di IGBT Field Stop Trench 7 e diodi Gen. 7 integrati, che garantiscono perdite di conduzione e commutazione inferiori. Questo design consente un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore. Il modulo è configurato come mezzo ponte 2-in-1 da 1200 V, 800 A, il che lo rende ideale per le applicazioni che richiedono prestazioni robuste e un'efficienza di conversione di potenza ottimale.

Termistore NTC

Piastra di base isolata

Pin saldabili

Layout a bassa induttività

Senza Pb

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