Modulo di alimentazione IGBT onsemi NXH800H120L7QDSG, VCE 1200 V, IC 800 A Mezzo ponte, canale Tipo N, Tipo P, PIM11, 11
- Codice RS:
- 277-059P
- Codice costruttore:
- NXH800H120L7QDSG
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 277-059P
- Codice costruttore:
- NXH800H120L7QDSG
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo di alimentazione IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 800A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Configurazione | Mezzo ponte | |
| Tipo di package | PIM11 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Numero pin | 11 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.05V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 62.15mm | |
| Altezza | 20.8mm | |
| Lunghezza | 152mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo di alimentazione IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 800A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Numero transistor 2 | ||
Configurazione Mezzo ponte | ||
Tipo di package PIM11 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Numero pin 11 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.05V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 62.15mm | ||
Altezza 20.8mm | ||
Lunghezza 152mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
