MOSFET Infineon, canale N, 205 A, PG-TO220-3, Su foro

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Codice RS:
284-682
Codice costruttore:
IPP018N10N5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

205 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

PG-TO220-3

Serie

OptiMOS

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon con transistor di potenza OptiMOS 5 rivoluziona l'efficienza nelle applicazioni ad alta frequenza, offrendo prestazioni eccezionali senza compromessi. Progettato specificamente per gli ambienti industriali più esigenti, questo MOSFET a canale N eccelle nella gestione della potenza e nella stabilità termica. Con una robusta resistenza alle sollecitazioni e un'impressionante temperatura massima di esercizio di 175°C, gestisce efficacemente carichi consistenti, rappresentando la scelta ideale per diverse applicazioni. Le sue caratteristiche avanzate assicurano prestazioni di commutazione ottimali, migliorando in modo significativo l'affidabilità complessiva dell'elettronica.

Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza
Il design a canale N aumenta l'efficienza di potenza
La bassa resistenza garantisce prestazioni superiori
Struttura durevole che resiste a temperature estreme
Privo di Pb e conforme alla normativa RoHS per la sicurezza
Qualificato per applicazioni industriali secondo JEDEC