MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 111 mΩ Miglioramento, 59 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R083M1HXUMA1

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-732
Codice costruttore:
IMT65R083M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

111mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

158W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET CoolSiC 650 V di Infineon è progettato con la tecnologia all'avanguardia del carburo di silicio e offre un'efficienza e un'affidabilità senza pari per le applicazioni più esigenti. Questo componente di nuova generazione è stato progettato per ottimizzare le prestazioni in vari ambienti operativi ad alta temperatura e difficili. Il suo design innovativo, perfezionato nel corso di 20 anni, combina senza sforzo un'elevata affidabilità operativa con un'integrazione facile da usare. L'aumento della densità di potenza e la riduzione delle dimensioni del sistema lo rendono una scelta ideale per applicazioni come gli inverter solari, l'infrastruttura di ricarica dei veicoli elettrici e le soluzioni di stoccaggio dell'energia, consentendo un'implementazione senza soluzione di continuità nei sistemi di alimentazione.

Il comportamento di commutazione ottimizzato migliora l'efficienza

Il robusto diodo di corpo garantisce una commutazione affidabile

Progettato per operazioni ad alta temperatura

Integrazione semplificata nei circuiti esistenti

Prestazioni termiche eccezionali per ambienti difficili

Capacità antivalanghe superiore per la sicurezza del sistema

Riduzione significativa delle perdite di commutazione

Ideale per applicazioni ad alta densità di potenza

Link consigliati