MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 111 mΩ Miglioramento, 59 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R083M1HXUMA1
- Codice RS:
- 284-732
- Codice costruttore:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per 1 unità*
9,16 €
(IVA esclusa)
11,18 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,16 € |
| 10 - 99 | 8,24 € |
| 100 - 499 | 7,60 € |
| 500 - 999 | 7,06 € |
| 1000 + | 6,31 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-732
- Codice costruttore:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 59A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 111mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 158W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 59A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 111mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 158W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET CoolSiC 650 V di Infineon è progettato con la tecnologia all'avanguardia del carburo di silicio e offre un'efficienza e un'affidabilità senza pari per le applicazioni più esigenti. Questo componente di nuova generazione è stato progettato per ottimizzare le prestazioni in vari ambienti operativi ad alta temperatura e difficili. Il suo design innovativo, perfezionato nel corso di 20 anni, combina senza sforzo un'elevata affidabilità operativa con un'integrazione facile da usare. L'aumento della densità di potenza e la riduzione delle dimensioni del sistema lo rendono una scelta ideale per applicazioni come gli inverter solari, l'infrastruttura di ricarica dei veicoli elettrici e le soluzioni di stoccaggio dell'energia, consentendo un'implementazione senza soluzione di continuità nei sistemi di alimentazione.
Il comportamento di commutazione ottimizzato migliora l'efficienza
Il robusto diodo di corpo garantisce una commutazione affidabile
Progettato per operazioni ad alta temperatura
Integrazione semplificata nei circuiti esistenti
Prestazioni termiche eccezionali per ambienti difficili
Capacità antivalanghe superiore per la sicurezza del sistema
Riduzione significativa delle perdite di commutazione
Ideale per applicazioni ad alta densità di potenza