MOSFET Infineon, canale N, 85 A, PG-WHTFN-9, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-777
Codice costruttore:
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

85 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5 ed è stato progettato per ottenere prestazioni eccezionali nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono, garantendo un'elevata efficienza e affidabilità. L'avanzata tecnologia MOSFET ne fa la scelta ideale per i progetti di alimentazione più impegnativi, garantendo una gestione termica ottimale e una ridotta perdita di energia. Progettato per funzionare a 100 V, questo transistor dimostra un'impressionante robustezza attraverso il test a valanga al 100%, offrendo la massima tranquillità per le applicazioni industriali.

Ottimizzato per gli alimentatori a commutazione
Canale N per una commutazione avanzata
La resistenza termica superiore garantisce l'affidabilità
Placcatura senza piombo per la sicurezza ambientale
I materiali privi di alogeni soddisfano gli standard IEC

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