MOSFET Infineon, canale N, 85 A, PG-WHSON-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-779
Codice costruttore:
IQE065N10NM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

85 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5 è progettato per applicazioni ad alte prestazioni e offre robuste capacità di raddrizzamento sincrono per gli alimentatori a commutazione. Questo MOSFET a canale N è dotato di un pacchetto compatto PG WHSON 8, progettato per gestire livelli di potenza più elevati garantendo la massima efficienza e affidabilità. Vanta un'esclusiva certificazione per il test delle valanghe e una resistenza termica superiore, che lo rendono ideale per le applicazioni industriali in cui le prestazioni sono fondamentali. Con una tensione di drain source di 100 V e una resistenza di stato incredibilmente bassa, questo transistor si distingue sul mercato. Il suo design all'avanguardia garantisce la conformità ai rigorosi standard della norma IEC60947 5 2 e alla normativa RoHS, soddisfacendo così i produttori attenti all'ambiente.

Ottimizzato per SMPS ad alta efficienza
100% testato in valanga per l'affidabilità
Prestazioni termiche superiori rispetto alla concorrenza
Piombatura senza Pb per la conformità ambientale
Conforme alla direttiva RoHS per una ridotta impronta ecologica
La costruzione senza alogeni riduce al minimo l'impatto ambientale
Su misura per i più severi standard industriali

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