MOSFET Infineon, canale N, 64 A, PG-HDSOP-22, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-872
Codice costruttore:
IPDQ65R040CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

64 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

650V CoolMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

22

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è dotato di un dispositivo di potenza CoolMOS CFD7 da 650 V che stabilisce un nuovo punto di riferimento in termini di efficienza e affidabilità. Progettato per applicazioni all'avanguardia, è il successore del suo rinomato predecessore e offre un comportamento termico migliorato e prestazioni di commutazione superiori. Vantando un'efficienza senza pari nelle topologie di commutazione risonanti, come le configurazioni LLC e a ponte intero con spostamento di fase, questo dispositivo è la scelta ideale per le soluzioni di potenza ad alta densità. La sua tecnologia a diodi a corpo rapido non solo garantisce un'eccezionale robustezza, ma supporta anche progetti di circuiti complessi in settori quali i server, le telecomunicazioni, la ricarica di veicoli elettrici e le applicazioni solari.

Il diodo di corpo ultraveloce migliora le prestazioni
Riduce le perdite di commutazione per una maggiore efficienza
Eccezionale resistenza termica in un design compatto
Commutazione rigida affidabile per applicazioni complesse
Ideale per soluzioni ad alta densità di potenza
Ottimizza l'efficienza dei carichi leggeri nelle installazioni industriali
Su misura per la compatibilità e l'integrazione con i moderni circuiti stampati