MOSFET Infineon, canale N, 29 A, PG-HDSOP-22, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-881
Codice costruttore:
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

29 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

650V CoolMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

22

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon è dotato di un CoolMOS CFD7 da 650 V, progettato per garantire prestazioni superiori nelle applicazioni più esigenti. Specificamente progettato per le topologie di commutazione risonanti, come i progetti a ponte intero LLC e a sfasamento, questo dispositivo di potenza eleva gli standard di efficienza grazie alle sue caratteristiche termiche migliorate e alle migliori capacità di commutazione. Il CFD2, un aggiornamento fondamentale rispetto al suo predecessore, è stato progettato per offrire una robustezza e un'affidabilità eccezionali, rendendolo ideale per le soluzioni di alimentazione ad alta efficienza in settori che vanno dalle telecomunicazioni alla ricarica dei veicoli elettrici. L'integrazione della tecnologia dei diodi a corpo rapido ne migliora ulteriormente le prestazioni, assicurando un'efficienza di primo livello e mantenendo una gestione termica ottimale, a supporto di soluzioni a maggiore densità di potenza.

Corpo diodo ultraveloce per una commutazione rapida
Ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione
Il design durevole garantisce una commutazione dura
Supporta applicazioni con tensione bus più ampia
Ideale per l'efficienza degli SMPS industriali
Facilita le soluzioni ad alta densità di potenza
Completamente qualificato secondo gli standard JEDEC