MOSFET Infineon, canale N, 205 A, PG-TO220-3, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-888
Codice costruttore:
IPP018N10N5AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

205 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TO220-3

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Le caratteristiche dei MOSFET Infineon sono progettate per offrire un'efficienza e un'affidabilità eccezionali, in grado di soddisfare un'ampia gamma di applicazioni. Grazie alla sua struttura innovativa, facilita la commutazione ad alta velocità, garantendo al contempo basse perdite di conduzione, e rappresenta la scelta ideale per i sistemi di gestione dell'alimentazione e le applicazioni industriali. Il prodotto si distingue per le sue eccellenti prestazioni termiche, che gli consentono di operare efficacemente in condizioni di carico elevato. È stato progettato per fornire una densità di potenza ottimale, garantendo che i vincoli di spazio all'interno dei sistemi non compromettano le prestazioni. Sia che venga utilizzato in soluzioni automobilistiche o nella tecnologia delle energie rinnovabili, questo MOSFET rappresenta una soluzione robusta che soddisfa le esigenze della moderna progettazione elettronica.

Capacità di commutazione ad alta velocità
Le basse perdite di conduzione migliorano l'efficienza
Ottimizzato per prestazioni termiche superiori
Funzionamento robusto in condizioni di carico elevato
Supporta esigenze di densità di potenza compatte
Versatile per il settore automobilistico e le energie rinnovabili