MOSFET Infineon, canale N, 23 A, PG-HSOF-8, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-912
Codice costruttore:
IPT65R125CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

23 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon è un MOSFET all'avanguardia progettato per aumentare l'efficienza di potenza nelle applicazioni più esigenti. Questo dispositivo offre prestazioni di commutazione leader del settore, incapsulato nel pacchetto PG HSOF 8, ottimizzando la gestione termica e massimizzando l'affidabilità operativa. Con una notevole tensione di rottura di 650 V, è progettato per gestire un'elevata densità di potenza ed è un componente essenziale per le topologie di commutazione risonanti, come i convertitori a ponte intero LLC e a sfasamento. Non solo soddisfa i rigorosi standard di efficienza e affidabilità, ma supporta anche i progetti che richiedono margini di potenza più elevati e prestazioni migliori in una gamma di temperature operative.

Il diodo di corpo ultraveloce migliora le prestazioni
Riduce le perdite di commutazione per l'efficienza energetica
Eccellente robustezza per le applicazioni più impegnative
Supporta una maggiore tensione del bus per la sicurezza
Eccezionale efficienza ai carichi leggeri per uso industriale

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