MOSFET Infineon, canale N, 19 A, PG-HSOF-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-913
Codice costruttore:
IPT65R155CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

19 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon è un dispositivo di potenza che ridefinisce l'efficienza e le prestazioni nelle applicazioni ad alta tensione grazie all'avanzata tecnologia coolMOS. Progettato specificamente per le topologie di commutazione risonanti, vanta notevoli capacità di commutazione, garantendo un significativo risparmio energetico e una migliore gestione termica. L'ultima offerta amplia le opzioni della classe di tensione, proponendosi come degno successore dei modelli precedenti. Il suo corpo diodo ultraveloce, combinato con una robustezza superiore della commutazione dura, fa di questo dispositivo la scelta ottimale per i severi requisiti industriali, in particolare in settori come le telecomunicazioni e la ricarica dei veicoli elettrici.

Il diodo di corpo ultraveloce aumenta l'efficienza operativa
L'elevata tensione di rottura garantisce una maggiore sicurezza
Il migliore della categoria RDS(on) riduce le perdite di conduzione
Le eccezionali prestazioni a carico leggero aumentano l'efficienza
Ottimizzato per applicazioni server e solari