MOSFET Infineon, canale N, 311 A, PG-HDSOP-16, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-919
Codice costruttore:
IPTC012N06NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

311 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

16

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon con transistor di potenza OptiMOS 5 offre una soluzione innovativa per le applicazioni che richiedono alta efficienza e affidabilità. Questo componente eccelle negli azionamenti dei motori e nelle applicazioni a batteria, ottimizzato per migliorare le prestazioni termiche e il raffreddamento del lato superiore. Con un design robusto, offre un'eccezionale capacità di corrente, garantendo al contempo la conformità agli standard RoHS. La sua ampia validazione secondo JEDEC lo rende ideale per le applicazioni industriali, consentendo agli ingegneri di contare sulle sue prestazioni in ambienti difficili. Come parte della serie OptiMOS, questo transistor di potenza è supportato da test rigorosi che ne garantiscono la conformità alle aspettative necessarie per circuiti ad alte prestazioni.

Ottimizza l'efficienza degli azionamenti dei motori
Le prestazioni termiche migliorate garantiscono l'affidabilità
Progettato per le applicazioni industriali più severe
Supporta livelli di corrente elevati per le attività più impegnative
Il raffreddamento sul lato superiore migliora la dissipazione del calore
100% testato in valanga per una maggiore affidabilità
Soddisfa la conformità alla direttiva RoHS per un uso ecologico
La placcatura senza piombo migliora la sostenibilità
Il design privo di alogeni è conforme alle normative
Completamente qualificati secondo gli standard del settore

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