MOSFET Infineon, canale N, 151 A, PG-TSON-8, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-948
Codice costruttore:
IQE022N06LM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

151 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

PG-TSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon con transistor di potenza OptiMOS 5 è progettato per offrire prestazioni senza precedenti negli alimentatori a commutazione ad alta efficienza, facilitando il raddrizzamento sincrono e un'eccezionale gestione termica. Con una tensione massima di drain source di 60 V, questo dispositivo a canale N funziona in modo efficiente in diverse condizioni, garantendo affidabilità e longevità nelle applicazioni più esigenti. Progettato per uso industriale, il prodotto garantisce la piena conformità agli standard JEDEC, rendendolo ideale per gli ambienti più difficili. Inoltre, il suo pacchetto compatto PG TSON 8 ne sottolinea l'adattabilità a progetti con vincoli di spazio, mentre le sue caratteristiche di robustezza assicurano un flusso di potenza ottimale con una resistenza e una generazione di calore minime, migliorando le prestazioni complessive del sistema.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni
Design a livello logico a canale N per una maggiore flessibilità
La bassa resistenza di accensione riduce la perdita di potenza
Resistenza termica superiore per garantire l'affidabilità
Conformità alla direttiva RoHS e all'assenza di alogeni
100% testato in valanga per la durata
Adatto ai più severi standard industriali

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