MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 301-338P
Price: 0.27 EUR
Availability: InStock

Prezzo per Pezzo (fornito in Tubo)**

0,218 €

(IVA esclusa)

0,266 €

(IVA inclusa)

3235 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Unità	Per unità
5 +	0,218 €

**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	HVMDIP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	540 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Carica gate tipica @ Vgs	6,1 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.29mm
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	3.37mm