MOSFET Infineon, canale N, 1,2 Ω, 900 mA, TSOP, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 301-647
- Codice costruttore:
- IRF5802TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
3,34 €
(IVA esclusa)
4,07 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,334 € | 3,34 € |
| 50 - 190 | 0,246 € | 2,46 € |
| 200 - 490 | 0,187 € | 1,87 € |
| 500 - 990 | 0,165 € | 1,65 € |
| 1000 + | 0,144 € | 1,44 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 301-647
- Codice costruttore:
- IRF5802TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 900 mA | |
| Tensione massima drain source | 150 V | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima drain source | 1,2 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 5.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 2 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Larghezza | 1.5mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 4,5 nC a 10 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 900 mA | ||
Tensione massima drain source 150 V | ||
Tipo di package TSOP | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima drain source 1,2 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 5.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 3V | ||
Dissipazione di potenza massima 2 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Larghezza 1.5mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Lunghezza 3mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 4,5 nC a 10 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Altezza 0.9mm | ||
Serie HEXFET | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
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