MOSFET onsemi, canale N 650 V, 44 mΩ N, 51 A, 3 Pin, TO-247-4L, Foro passante
- Codice RS:
- 327-809P
- Codice costruttore:
- NTHL032N065M3S
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 327-809P
- Codice costruttore:
- NTHL032N065M3S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 44mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I MOSFET SiC di ON Semiconductor sono ottimizzati per le applicazioni di commutazione rapida, grazie alla tecnologia planare che garantisce un funzionamento affidabile con tensione di gate negativa e picchi di spegnimento sul gate. Questa famiglia di MOSFET offre prestazioni ottimali quando viene pilotata con un gate drive a 18 V, ma funziona efficacemente anche con un gate drive a 15 V.
Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS
azionamento del gate da 15V a 18V