MOSFET ROHM, canale Doppio N 100 V, 193 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie HP8KE5TB1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 10 unità*

6,50 €

(IVA esclusa)

7,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
10 - 900,65 €6,50 €
100 - 2400,618 €6,18 €
250 - 4900,572 €5,72 €
500 - 9900,527 €5,27 €
1000 +0,506 €5,06 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
331-686
Codice costruttore:
HP8KE5TB1
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSOP-8

Serie

HP8KE5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza è disponibile in un piccolo contenitore a montaggio superficiale.

Placcatura senza Pb

Conformità RoHS

Senza alogeni

Testato al 100 percento da Rg e UIS

Link consigliati