MOSFET ROHM, canale Doppio N 100 V, 193 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie HP8KE5TB1

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Codice RS:
331-686
Codice costruttore:
HP8KE5TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HP8KE5

Tipo di package

HSOP-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza è disponibile in un piccolo contenitore a montaggio superficiale.

Placcatura senza Pb

Conformità RoHS

Senza alogeni

Testato al 100 percento da Rg e UIS

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