MOSFET ROHM, canale Doppio N 100 V, 210 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie HT8KE5HTB1

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Codice RS:
331-687
Codice costruttore:
HT8KE5HTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSOP-8

Serie

HT8KE5H

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

13W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza viene fornito in un pacchetto di stampo piccolo ad alta potenza.

Placcatura senza Pb

Conformità RoHS

Senza alogeni

Testato al 100 percento da Rg e UIS

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