MOSFET ROHM, canale Doppio N 100 V, 210 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 8 Pin, HSOP-8, Superficie HT8KE5HTB1
- Codice RS:
- 331-687
- Codice costruttore:
- HT8KE5HTB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 10 unità*
5,71 €
(IVA esclusa)
6,97 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,571 € | 5,71 € |
| 100 - 240 | 0,542 € | 5,42 € |
| 250 - 490 | 0,503 € | 5,03 € |
| 500 - 990 | 0,462 € | 4,62 € |
| 1000 + | 0,445 € | 4,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 331-687
- Codice costruttore:
- HT8KE5HTB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HT8KE5H | |
| Tipo di package | HSOP-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 210mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 13W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HT8KE5H | ||
Tipo di package HSOP-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 210mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 13W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è un MOSFET a bassa resistenza di accensione ideale per applicazioni di commutazione e azionamenti di motori. Questo MOSFET di potenza viene fornito in un pacchetto di stampo piccolo ad alta potenza.
Placcatura senza Pb
Conformità RoHS
Senza alogeni
Testato al 100 percento da Rg e UIS
Link consigliati
- MOSFET ROHM 1.34 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RS6G120BGTB1
- MOSFET ROHM 1.38 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RS6G120BHTB1
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSOP-8
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSOP-8 RS6L120BGTB1
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento 8 Pin, HSOP-8 RS1P600BHTB1
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RS6L120BHTB1
- MOSFET ROHM 3.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RS6N120BHTB1
- MOSFET ROHM 1.10 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RS6E120BGTB1
