MOSFET Microchip, canale Tipo N 74 V, 0.26 Ω, 2 A, 40 Pin, QFN, Superficie PD70224ILQ-TR
- Codice RS:
- 333-012
- Codice costruttore:
- PD70224ILQ-TR
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
9670,00 €
(IVA esclusa)
11.798,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 4,835 € | 9.670,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-012
- Codice costruttore:
- PD70224ILQ-TR
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 74V | |
| Serie | PD70224 | |
| Tipo di package | QFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 40 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.26Ω | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Tensione diretta Vf | 192mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Larghezza | 8 mm | |
| Standard/Approvazioni | IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 74V | ||
Serie PD70224 | ||
Tipo di package QFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 40 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.26Ω | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Tensione diretta Vf 192mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 6mm | ||
Larghezza 8 mm | ||
Standard/Approvazioni IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La confezione Microchip Dual di raddrizzatori a ponte intero basati su MOSFET. Contiene MOSFET a canale N a bassa Rds 0,16Ω per un'efficienza complessiva molto più elevata e una maggiore potenza di uscita, in particolare se utilizzati in dispositivi alimentati (PD) per applicazioni PoE. L'intero circuito di pilotaggio dei MOSFET è su chip, compresa la pompa di carica per il pilotaggio dei MOSFET a canale N del lato alto.
Circuito attivo con bassa caduta in avanti per sostituire i ponti di diodi passivi dissipativi
Circuito di pilotaggio autonomo per MOSFET
Progettato per supportare IEEE-802.3af / at / bt e PoH
MOSFET integrati a canale N da 0,16 Ohm per una resistenza di percorso totale di 0,3 Ohm
Segnali indicatori di potenza presente per identificare la potenza del ponte a 4 coppie