MOSFET onsemi, canale N 30 V Miglioramento, 60 A, 39 Pin, PQFN-39, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-409P
Codice costruttore:
NCP303160AMNTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN-39

Serie

NCP303160A

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

39

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

13.5W

Tensione diretta Vf

350mV

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il driver e il MOSFET integrato di ON Semiconductor con monitor di corrente integrato contiene un driver MOSFET, un MOSFET high-side e un MOSFET low-side in un unico pacchetto. Il driver e i MOSFET sono stati ottimizzati per applicazioni di conversione di potenza buck DC-DC ad alta corrente. La soluzione integrata riduce notevolmente i componenti parassiti del pacchetto e lo spazio sulla scheda rispetto a una soluzione a componenti discreti.

Preciso monitoraggio della corrente

Diodo di bootstrap interno

Pacchetto PQFN39

Senza Pb

Conforme alla direttiva RoHS

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