MOSFET onsemi, canale N 650 V, 32.6 mΩ N, 77 A, 8 Pin, HPSOF-8L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-415P
Codice costruttore:
NTBL023N065M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

77A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EliteSiC

Tipo di package

HPSOF-8L

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

32.6mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

6V

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Larghezza

10.38mm

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET SiC di ON Semiconductor è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e offre basse perdite di conduzione e robuste prestazioni termiche. Il suo design avanzato migliora l'affidabilità dei sistemi di alimentazione più esigenti, mantenendo al contempo un packaging compatto. Questo dispositivo garantisce un funzionamento efficiente con una dissipazione di energia minima.

Pacchetto H PSOF8L

Conforme alla direttiva RoHS

Senza Pb

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