MOSFET Infineon, canale N, 789 A, PG-WHTFN-9, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
348-874
Codice costruttore:
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

789 A

Tensione massima drain source

25 V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon presenta il valore di RDS(on) più basso del settore, pari a 0,29 mOhm, abbinato a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del Centre-Gate è ottimizzato per la parallelizzazione.

Perdite di conduzione ridotte al minimo
Commutazione rapida
Riduzione della sovra-estensione di tensione

Link consigliati