MOSFET Infineon, canale N, 323 A, PG-WHTFN-9, Montaggio superficiale

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Codice RS:
348-883
Codice costruttore:
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

323 A

Tensione massima drain source

80 V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 1,57 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del Centre-Gate è ottimizzato per la parallelizzazione.

Perdite di conduzione ridotte al minimo
Commutazione rapida
Riduzione della sovra-estensione di tensione

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