MOSFET Infineon, canale N, 445 A, PG-WHSON-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
348-890
Codice costruttore:
IQD009N06NM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

445 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PG-WHSON-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 0,9 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza.

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