MOSFET Infineon, canale N, 447 A, PG-WHSON-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 348-892
- Codice costruttore:
- IQDH88N06LM5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 348-892
- Codice costruttore:
- IQDH88N06LM5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 447 A | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 447 A | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 0,86 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. Inoltre, con il pacchetto di raffreddamento a doppio lato è possibile dissipare una potenza cinque volte superiore rispetto al pacchetto sovrastampato.
Perdite di conduzione ridotte al minimo
Commutazione rapida
Riduzione della sovra-estensione di tensione
Commutazione rapida
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