MOSFET Infineon, canale Tipo N 750 V, 10.6 mΩ Miglioramento, 173 A, 22 Pin, PG-HDSOP-22, Superficie IMDQ75R008M1HXUMA1

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Codice RS:
349-329
Codice costruttore:
IMDQ75R008M1HXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

173A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

625W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G1 CoolSiC Infineon da 750 V si basa sulla tecnologia Infineon al carburo di silicio solido, sviluppata in oltre 20 anni. Sfruttando le caratteristiche dei materiali SiC a banda interdetta ampia, il MOSFET CoolSiC da 750 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Questo MOSFET è stato progettato per resistere alle alte temperature e alle condizioni operative più difficili, rendendolo ideale per le applicazioni più impegnative. Consente l'implementazione semplificata ed economica di sistemi ad alta efficienza, rispondendo alle esigenze in continua evoluzione dell'elettronica di potenza in ambienti difficili.

Tecnologia proprietaria Infineon per l'aggancio della matrice

Pacchetto di raffreddamento laterale superiore all'avanguardia

Pin sorgente del driver disponibile

Maggiore robustezza per resistere a tensioni del bus superiori a 500 V

Efficienza superiore in caso di hard switching

Frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a soft switching

Robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio unipolare del gate

La migliore dissipazione termica della categoria

Riduzione delle perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo del gate

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